>今日、チョッパー昇圧回路を作ってみました。(例のごとく後輩が)
C型基板の半分ぐらいしか使ってません。小さいです。
僕たちの実験では7.4V(リチウムポリマー2S)から250Vを発生させることができました！
たぶんもっと上げられますが、FETの耐圧の問題から250Vに設定してあります。それでもオーバーですが。
昨日はAM3:00までずっと資料集めしていて眠い眠い……
でも、その甲斐があって成功しました！
もっとも参考になったサイトは
http://sikibuton.blogspot.com/2010/12/blog-post_25.html
ここのブログ。
回路図もほぼそのまま使用させていただいてます。
使用部品は
パワーＭＯＳ－ＦＥＴ ２ＳＫ３６２８（２３０Ｖ２０Ａ）
ファーストリカバリ・ダイオード ４００Ｖ ５Ａ（１０個入） ER504
トロイダルコイル２００μＨ９Ａ
カーボン抵抗（炭素皮膜抵抗）１／４Ｗ10Ω（１００本入）
カーボン抵抗（炭素皮膜抵抗）１／４Ｗ330Ω（１００本入）
絶縁型ラジアルリードタイプ積層セラミックコンデンサー０．１μＦ５０Ｖ（１０個入）５ｍｍピッチ［１０４］
ＡＶＲマイコン ＡＴＴＩＮＹ１３Ａ－ＰＵ
低損失三端子レギュレーター［３．３Ｖ１Ａ］ＴＡ４８０３３Ｓ
です。
これだけでモジュール化してしまったのでちょっと無駄な部品も混ざってます(昇圧だけなら不要な部品)
回路図は今手元にeagleがない(別PC)ので希望があれば、ということにします。
注意点は
・パワーの弱いはんだごて(20W以下)で大きなFETをはんだ付けしようなんて思わないこと。
・立ち上がりまでにやや時間がかかること
です。
あと、大きなFETはゲート電圧が高くないといけない(3.3Vでは無理でした)のでトランジスタ等でもう一段増やさなければいけないかもしれません。
FETはもっと耐圧が高いのもあるんですが……ON抵抗が大きいと損失が大きくて電圧が上がりにくい、かといって完璧なFETは高い(ひとつ\3000ぐらい)ので悩みどころです。
http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-04998/
この辺のFETでもう少し電圧上げられるかもしれませんが、この時点でON抵抗は使用している2SK3638の4倍。損失が大きいことは確かです。
こんどIGBTを使ってみようかとも思ってます。
手に入ればですが。
パルスはTiny13から出力しました。周波数は2kHz(実測)
まず低めの電圧で！って思って、さっき紹介させていただいたブログにあった86%Highではなく14%Highで試してみると250V！びっくり。
秋月のデジタルテスターで図ったので正確です。
でもちょっとソレノイドのパワーとしては弱かったですね。いままで450Vだったので……
もうちょっと研究します。
こういうあたらしい基板(いままで自分のクラブ内で使われたことのない基板)が成功するとすごくテンションあがりますね！